據悉，12月12日，英特爾在IEEE 國際電子設備會議(IEDM) 上通過多篇研究論文公布了三種新技術，從量子物理突破、新封裝和晶體管技術三個方向來延續摩爾定律。
其中，英特爾新型3D堆疊、多芯片封裝技術Foveros Direct 可以讓上下芯片之間的連接點密度提升10倍、而且每個連接點的間距小於10微米。全新的封裝方式可以將 NMOS 和 PMOS 堆疊在壹起，緊密互聯，從而在空間上提高芯片的晶體管密度;這種方式能在不縮小制程的情況下，將晶體管密度提升30%至50%，使摩爾定律重新生效。
過去幾年，在制造更小、更快速的芯片方面，英特爾輸給了臺積電(TSM.US)和三星電子兩大對手;如今，英特爾正在千方百計重新贏得芯片制造領域的領導者地位。
此前，Pat Gelsinger擔任英特爾信任首席執行官之後，推出壹系列在2025年重新贏得優勢地位的商業發展規劃。而這壹次該公司技術團隊推出了壹系列“技術性武器”，或將幫助英特爾在2025年後壹直保持技術優勢。
英特爾“組件研究集團”總監兼高級工程師Paul Fischer表示，通過把半導體零組件壹個堆疊在另外壹個身上，英特爾技術團隊可節省芯片空間，“我們正減少芯片內部連接通道的長度，從而節省能耗，這樣不僅提高芯片成本效益，更能增強芯片性能。”