中村修二是如何實現N摻雜和P摻雜的？

中村修二通過控制工藝中的氫濃度來實現P摻雜。通過改變氣流的流速來實現n摻雜。據報道，在摻鎂氮化鎵薄膜中可以通過電子束輻射實現空穴傳導，但中村修二實驗發現，只要控制過程中的氫濃度，就可以大規模獲得P摻雜材料。第26組可以發出藍光。他做的是鎵氫化物，它創新了壹種噴在上面的氣流。它改變了流量，解決了鎵氫化物的摻雜問題。之前都是用於還原摻雜，矽鍺硒用於實現3族的N型摻雜，從而使P-N成為可能。