IGBT(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極晶體管,是壹種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件,具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低,載流密度高,但驅動電流大;MOSFET的驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點,具有低驅動功率和低飽和電壓。非常適用於DC電壓600V及以上的變流系統,如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT概念主要是上市公司:科達股份(600986)、錢江摩托(000913)、華為微電子(600360)、中環股份(002129)、長電科技(600584)、太極股份(300046)。