對於近紅外波段的VCSEL，基本上使用的都是半導體DBR鏡，如表所示。以AlGaAs為基礎的DBR應用最為廣泛，在650~690 nm波段、850~980 nm近紅外波段和1.33 ~ 1.55 PTM長波波段都有應用。在650~690 nm範圍內，采用a 1AS/a 1x ga-XAS DBR。為了避免光吸收，需要X > 0.4。對於780 nm的VCSEL，鋁的成分應該減少到x = 0.25同樣，x = 0.15對應850 nm和980 nm的VCSEL是GaAs/A1As或GaAs/A1。基於Q6Ga0.04As的DBR。
理想的VCSEL需要具有最大的反射率和良好的散熱。與絕緣材料制成的DBR相比，全半導體DBR的折射率差要小得多，所以要達到99%的反射率，需要更多的DBR周期結構，而且在反射過程的相變中也會導致更高的色散。理想的全半導體DBR應該在垂直方向上具有非常小的串聯電阻，頂發射VCSEL的環形電極也應該具有非常高的橫向電導率。但由於組成DBR的兩種材料的價帶不連續，造成了P型DBR的高串聯電阻，發熱非常嚴重。