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MOS晶體管有RDS理論,晶體管飽和導通時有RCE理論?

BJT也有Rce(上);

對於大多數BJT,BJT壹般用VCE(SAT)(Ce之間的飽和壓降)來表示三極管的導通特性。

對於壹些低飽和ce電壓的新型晶體管,廠家不僅給出了Vce(sat),還給出Rce(on)(通態等效電阻)。

Rce(on)的晶體管都是開關特性很好的開關,對於通用BJT,廠家並沒有給出這個指標。