1994 年 12 月 力晶半導體股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圓廠(8A廠)動土典禮。
1996 年 04 月 8A廠正式啟用。
10 月 8A廠開始量產0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 獲頒 ISO 9002 國際品保系統驗證證書。
1998 年 02 月 8A廠量產 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技類股於櫃買中心掛牌上櫃。
07 月 切入代工服務領域有成，第壹家美國代工客戶產品試產成功。
12 月 獲頒 ISO 14001 國際環境管理系統驗證證書。
1999 年 06 月 與世界先進及三菱電機簽訂策略聯盟合作備忘錄，***組聯盟關系。
11 月 發行第壹次海外存托憑證，總金額達美金288,900,000元。
2000 年 07 月 舉行第壹座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。
2001 年 05 月 發行第壹次公司債(含海外公司債)，總額達美金200,000,000元。
09 月 榮獲經濟部工業局所舉辦的第十二屆「品質優良案例獎」。
2002 年 10 月 通過OHSAS 18001職業安全衛生評估系列驗證。
11 月 第壹座十二吋晶圓廠(Fab P1)正式量產。
2003 年 01 月 謝再居博士接任總經理肩負營運重責。
08 月 力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術轉移合約。
10 月 第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圓廠代工業務正式投片。
09 月 力晶員工診所開幕。
2005 年 01 月 獲頒ISO / TS 16949證書。
03 月 P2廠正式啟用。
05 月 力晶開始以十二吋晶圓廠生產高容量快閃記憶體。
2006 年 01 月 與旺宏達成協議購入晶圓廠房，並命名為 12M廠。
02 月 與瑞薩 (Renesas) 達成AG-AND 快閃記憶體技術授權協議。
12 月 與爾必達簽訂合作備忘錄，將設合資公司以新臺幣4,500億元於臺灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區；雙方並決定***同開發50奈米DRAM制程技術。
2007 年 06 月 力晶研發測試中心動土典禮。
10 月 與爾必達合資之瑞晶電子公司第壹座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。
2008 年 04 月 8A廠獨立為鉅晶電子公司。
4 月 與日商瑞薩、SHARP合資設立Renesas SP公司，***同拓展LCD驅動晶片市場。
4 月 第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。