IGBT芯片也稱為絕緣柵雙極晶體管。它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件 。它結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓，大電流和高速下均具有出色的性能，使其成為電力電子領域中的理想開關器件。 IGBT模塊是壹種模塊化產品，由多個IGBT芯片和FRD（快速恢復二極管）芯片通過特定電路封裝在壹起組成。輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗低，開關速度快。工作頻率高，部件容量大等特點。
就下遊應用而言，新能源 汽車 市場占31％，成為最大的IGBT芯片應用市場。第二是家電領域，占27％。在工業控制領域排名第三，占20％。新能源發電占11％，其余占11％。下遊工業控制和消費電子產品的逐步復蘇有望推動IGBT芯片市場的逐步擴展 。 IGBT芯片是光伏逆變器和風力發電逆變器的核心組件。新能源發電產業的快速發展將成為IGBT芯片產業的持續增長。隨著新能源 汽車 市場的快速發展，IGBT芯片的需求和價值有望進壹步增加，從而推動了IGBT芯片產業的增長。
目前， IGBT芯片的國產化已成為國家重點半導體器件的發展重點之壹，IGBT芯片也被列為國家“ 02專項”的重點扶持項目，相關產業已進入階段發展迅速。作為國內領先的IGBT芯片公司，斯達半導壹直專註於IGBT芯片的獨立研發。 該公司的IGBT芯片模塊型號齊全。目前，它已經形成了涵蓋工作電流5A-3600A和工作電壓600V-3300V的產品布局。同時，該公司還具有提供MOSFET模塊，IPM模塊，整流器模塊，晶閘管，碳化矽器件和其他產品的能力，從而形成了功率半導體的完整產品布局。先進的IGBT芯片設計，模塊設計和制造工藝領先市場。
中高端IGBT芯片設計和制造中的技術創新和突破主要由國外制造商主導。在全球市場上，英飛淩，富士電機和IXYS等國際制造商涵蓋了IGBT芯片產品的整個電壓範圍，而瑞薩，羅姆和意法半導體等制造商則專註於中低壓產品。三菱，中國中車和斯達半導之類的制造商僅提供IGBT芯片模塊產品。 隨著公司產品技術水平逐步與國際水平接軌，公司在國內的替代優勢越來越明顯，主要體現在細分行業的領先優勢，快速滿足客戶個性化需求的優勢以及價格競爭的優勢。 。該公司是IGBT芯片的領導者。隨著IGBT芯片市場的快速擴展和國內替代產品的強勁趨勢的幫助，企業有望憑借自身的競爭優勢突圍並擴大市場份額。公司在行業中的領先地位已得到牢固確立。 公司的 IGBT芯片模塊的全球市場份額約為2.2％，在中國排名第壹，在全球排名第八。
2020年前三季度，公司營業收入為6.68億元，同比增長18.14％，歸屬於母公司股東的凈利潤1.34億元，同比增長29.44％，其中第三季度，公司實現營業收入2.52億元，同比增長26.39％，實現母公司實現凈利潤5300萬元，同比增長36.24％。