2013年9月4日下午3點半左右，無錫海力士廠房起火，原因不明。
2065 438+2002年2月韓國第三大財閥SK集團入主海力士，更名為SKhynix。
2009年5月，中國無錫後續項目合作社成立。
4月，全球率先開發出低功耗-高速移動1GB DDR 2 DRAM。
3月，全球首次發布8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM產品認證。
2月，全球首次研發出44納米DDR3 DRAM。
065438+10月，全球首家獲得基於服務器4GB ECC UDIMM模塊的超高速DDR3的英特爾產品認證。
5438年6月+2008年2月，全球率先研發出2Gb移動DRAM。
165438+10月推出業界最高速度7Gbps，1Gb GDDR5顯卡DRAM。
8月，青州三廠300mm組裝廠竣工。
推出了全球首款采用MetaRAMtm技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM。
Numonyx和Hynix推出全新和創新的NAND閃存產品和技術的努力已經擴大。
5月，我們與ProMOS簽署了關於加強長期戰略合作的修正案。
4月，歐盟理事會對取消海力士DRAM關稅的措施表示歡迎，並開發了世界上最高速度的移動LPDDR2。
2月推出了2列8GB DDR 2RDMM。
065438+10月與R&: D簽訂* * *協議程序合作合同
2008年，00MHz，1GB/2GB UDIMM產品認證發布。
2007年6月5438+2月，全球可轉換票據成功發行。
165438+10月，WTO裁定海力士對進口芯片的報復性關稅相關，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS業務合作協議，獲得1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證。業界最早開發1Gb GDDR5 DRAM。
10年6月，與Ovonyx公司簽訂了PRAM的技術和許可合同，與環境運動聯盟(韓國)簽訂了環境管理合作合同。
9月，24片堆疊芯片，全球首次研發出NAND flash MCP。
8月，我們開發了業界最快、最小的1Gb移動DRAM。
7月，企業中長期總體規劃公布。
5月，業界率先在DDR3 DRAM上獲得英特爾產品認證。
4月，DOC H3開始大規模生產，並在韓國清州開始建設300毫米工廠，以實現最高水平的運營利潤率。
3月，開發出世界上最快的ECC移動DRAM，並公布了“生態標誌”，東芝簽署了半導體加盟商的許可和供貨合同。
與SanDisk就授權商戶許可合同達成壹致，並與x4科技就成立合作公司簽署諒解備忘錄(MOU)。金鐘嘉成為新的代表董事和總裁。
065438年10月，基於“晶圓級封裝”技術的超高速存儲模塊研制成功。
創下2006年最高業績和利潤。
5438年6月+2006年2月，業界首次公布了60nm 1Gb DDR2 800MHz的基本模塊，開發出全球最高速度200MHz 512Mb移動DRAM。
65438+10月創下成立以來的最高成績，通過海力士st半導體(工廠)的建成，構建了國際化的生產網絡。
300毫米研究生產線於9月下線。
3月，業界率先獲得英特爾80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證。
01發布了與M-Systems(壹款內置於閃存盤的全新DiskOnChip)的DOC H3***相同的開發計劃。
5438年6月+2005年2月，全球首次開發出512Mb GDDR4，業界最高速度、最高密度的圖形DRAM。
165438+10月，業界首次推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM。
7月，我提前退出了《企業重組與完善協議》。
4月，海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行了奠基儀式。
2004年的財務報表於3月公布，實現了高額銷售利潤。
065438+10月與臺灣省茂德科技簽署戰略合作夥伴協議。
2004年6月，165438+10月，我們與意法半導體公司簽訂了在中國建立合資工廠的協議。
8月，與中國江蘇省無錫市簽署了在中國建廠的合作協議。
7月份獲得了公司成立以來最大的季度營業利潤。
6月份，我們簽署了非記憶業務經營權轉讓協議。
3月，業界首次研發出超高速DDR SDRAM 550 MHz 1g DDR 2 SDRAM，獲得英特爾認證。
2月成功開發NAND閃存。
2003年6月5438+2月，宣布與PromMOS簽署了長期戰略諒解備忘錄。
8月，宣布DRAM行業發布的首款1Gb DDR2上市。
7月，宣布DDR500全球首發。
6月，512M DDR400產品在DRAM行業首次獲得英特爾認證。
5月，采用0.10微米工藝技術，超低功耗256Mb SDRAM投入量產。
4月，宣布與意法半導體簽署協議，生產NAND閃存。
世界上第壹個商業超大型FeRAM於3月發布。
2002年6月，HYDIS出售TFT-LCD業務部門+065438+10月。
5438+00年6月開發了0.10μ m和512MB DDR。
8月，256MB高密度寬帶DDR SDRAM在世界上首次開發出來。
6月，256MB SDR SDRAM首次應用於全球高端客戶。
3月開發1G DDR DRAM模塊。
2006年8月5438+0開發世界上最快的128MB DDR SDRAM。
8月完成了與現代集團的最終分離。
7月，CDMA移動通信設備制造業務“現代Sycomm”被剝離。
今年5月，通信服務業務“現代Curitel”被剝離。
剝離網絡業務“現代網絡”
3月，公司更名為海力士半導體有限公司。
2000年8月，顯示屏銷售業務“現代圖像探索”被剝離。
今年4月，電子電路設計業務“現代Autonet”被剝離出來。
1999 10合並LG半導體株式會社，組建現代半導體株式會社。
3月出售專業半導體組裝公司(ChipPAC)。
1998年9月開發64M DDR SDRAM
1997年5月，1G SDRAM在世界上首次被開發出來。
1996 12公司股票上市。
FAB III完成於6月1989 11。
9月開發4M DRAM。
1988 165438+10月在歐洲成立了當地公司(HEE)。
065438+10月開發1M DRAM
6月1986首屆員工文化展“Ami Carnical”舉行。
4月，半導體研究所成立。
1985 10開始量產256K DRAM。
FAB II-A於1984年9月完工。
現代電子有限公司成立於1983年2月。公司簡要展望了主業。永續經營、永續經營報告、倫理管理宣言、倫理管理計劃組織介紹實務系統、產業安全政策、線上申報公司標誌。