1、長鑫存儲技術有限公司公布其最新的DRAM技術路線圖,將采用19nm工藝生產4Gb和8GbDDR4,長鑫月產能約為2萬片,規劃到2020年底晶圓月產能將達12萬片。另外,長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。從長鑫存儲DRAM技術發展的路線規劃來看,其研發的產品線包括DDR4,LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6,產品發展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發展大體壹致。天風證券潘_認為,5G的快速發展為半導體行業帶來巨大發展機遇,車用半導體、IoT和攝像頭帶來新增長點。另外,整機廠商供應鏈的國產化,也為半導體產業帶來市場空間。
2、長鑫存儲技術有限公司於2017年11月16日成立。法定代表人趙綸,公司總部在合肥,公司經營範圍包括:存儲技術服務;集成電路設計、制造、加工、技術開發、技術轉讓、技術咨詢、技術服務、技術培訓及技術檢測;電子產品銷售並提供售後服務及技術服務;半導體集成電路芯片研發、設計、委托加工、銷售;計算機軟硬件及網絡軟硬件產品的設計、開發;計算機軟硬件及輔助設備、電子元器件、通訊設備的銷售;設備、房屋租賃;產業並購;股權投資;自營和代理各類商品和技術的進出口業務(但國家限定企業經營或禁止進出口的商品和技術除外)等。