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氧化鎵的用途:
1，氧化鎵不是很新的技術。很多年前就有公司和研究機構研究其在功率半導體領域的應用，但在實際應用場景上，並沒有像過去的SiC和GaN那樣廣泛應用，所以相關研發工作的風頭都被後兩者搶了。隨著應用需求的發展越來越清晰，未來大功率器件的性能要求會越來越高，這使得人們更加深刻地看到了氧化鎵的優勢和前景，相應的研發工作也隨之增多，成為美國、日本、德國等國家的研究熱點和競爭焦點。而中國在這方面還是比較欠缺的。
2.雖然氧化鎵的熱導率很差，但其帶隙(4.9eV)超過了碳化矽(約3.4eV)、氮化鎵(約3.3eV)、矽(1.1eV)。因為帶隙寬度可以衡量使電子進入導電狀態所需的能量。由寬帶隙材料制成的系統可以比由窄帶隙材料制成的系統更薄更輕，並且可以應對更高的功率，有望以低成本制造高耐壓、低損耗的功率元件。此外，寬帶隙允許在更高的溫度下工作，從而減少了對龐大冷卻系統的需求。
3.氧化鎵是壹種寬帶隙半導體，Eg=4.9eV，導電性和發光特性良好。因此在光電子器件中具有廣闊的應用前景，用作Ga基半導體材料的絕緣層和紫外濾光片。這些都是氧化鎵的傳統應用領域，其未來的電力，尤其是大功率應用場景，更值得期待。
4.氧化鎵是壹種新型的功率半導體材料，其禁帶寬度比矽、氮化鎵、碳化矽都要寬，因此在大功率應用中的應用優勢越來越明顯。然而，氧化鎵不會取代SiC和GaN，它們是繼矽之後的下壹代主要半導體材料。氧化鎵更有可能在擴大超寬帶隙系統的可用功率和電壓範圍方面發揮作用。最有前景的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。