IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是壹種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。非常適用於DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
整流二極管:壹種將交流電轉換成DC電能的半導體器件。通常它包含壹個帶正負端子的PN結。二極管最重要的特性是單向導電性。在電路中，電流只能從二極管的陽極流入，從陰極流出。
晶閘管，晶閘管整流器的簡稱，是壹種三PN結四層結構的大功率半導體器件，又稱晶閘管。它具有體積小、結構相對簡單、功能強的特點，是常用的半導體器件之壹。該器件廣泛應用於各種電子設備和產品中，如可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。可控矽器件廣泛應用於調光燈、調速風扇、空調、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、照相機和工業控制。