肖特基勢壘是指勢壘高度較大的勢壘(即φ bn或φBP >；& gtKT)，以及摻雜濃度低於導帶或價帶的金屬-半導體接觸(石民，半導體器件的物理與技術，第2版，7.1.2)。
肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就像二極管具有整流特性壹樣。它是形成在金屬-半導體邊界上的整流區。
金屬和n型半導體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬-半導體作為壹個整體在熱平衡中具有相同的費米能級。肖特基勢壘和PN界面的最大區別在於，它的界面電壓更低，金屬端的耗盡區寬度相對較薄(幾乎不存在)。從半導體到金屬，電子需要克服勢壘；從金屬到半導體，電子都被勢壘阻擋。當施加正向偏壓時，半導體側的勢壘下降；相反，當施加反向偏壓時，半導體側的勢壘增加。使得金屬-半導體接觸具有整流效應(但不是所有的金屬-半導體接觸都具有整流效應)。如果對於N型半導體，金屬的功函數大於半導體的功函數，對於P型半導體，金屬的功函數小於半導體的功函數，半導體的雜質濃度不小於10 19/cm3，就會發生歐姆接觸，由於雜質濃度高，會引起隧穿效應，使勢壘得不到整流。不是所有的金屬半導體結都具有整流特性，沒有整流特性的金屬半導體結稱為歐姆接觸。整流性質取決於金屬的功函數、固有半導體的能隙以及半導體的摻雜類型和濃度。在設計半導體器件時有必要熟悉肖特基效應，以保證在需要歐姆接觸的地方不會意外產生肖特基勢壘。當半導體均勻摻雜時，肖特基勢壘的空間電荷層寬度與單側突變pn結的耗盡層寬度壹致。
優勢
由於肖特基勢壘的接口電壓較低，因此它可以用於需要接近理想二極管的器件。在電路設計中，它們也和壹般的二極管、晶體管壹起使用，主要作用是利用它們的低接口電壓來保護電路上的其他器件。
但是，與其他半導體器件相比，肖特基器件還沒有得到廣泛應用。
成分
肖特基二極管，肖特基勢壘本身作為器件就是肖特基二極管。
肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管FET:金屬和碳納米管的接觸不理想，所以堆垛層錯導致肖特基勢壘，我們可以利用這個勢壘制作肖特基二極管或者晶體管等等。
肖特基二極管B0530WS-7-F參數
肖特基勢壘二極管，300mA至1A，二極管公司超級勢壘整流器(SBR)二極管是下壹代整流器。與類似的肖特基二極管相比，雙端器件具有更低的直流電壓(VF)。同時具有PN外延二極管的熱穩定性和高可靠性的特點。
二極管和整流器公司
二極管配置單通道
大連續正向電流500mA
每個芯片的元件數量是1
峰值反向重復電壓30V。
安裝型表面安裝
包裝類型SOD-323
二極管型肖特基二極管
引腳數2
巨大的直流電壓降450mV。
長度1.8毫米
寬度1.4毫米
高度1.1毫米
高工作溫度+125°c。
峰值反向電流500？A
尺寸1.8 x 1.4 x 1.1毫米。
峰值非重復正向浪湧電流2A
工作溫度-40℃