露笑 科技 最近有點火啊。
在老師們罵他是騙子、“露笑 科技 把人整笑了”後，露笑 科技 也迎來大跌，跌了20%左右。
股吧、雪球眾人都各持己見，論戰不休。
但是並沒有業內人士出來說道說道這個，這就有點神奇了。
行外看熱鬧，非專業人士說的東西，大家要有壹些判斷。
現代科學的發展進步，其實已經到了普通人很難理解的程度了，不信妳看看下面這個“標準模型”的公式：
要是妳不懂這個標準模型的話，第三代半導體，妳也就是連入門都說不上了。
不知道老師們懂不懂這個啊。
01
首先簡介壹下第三代半導體
1. 導體和半導體
量子力學認為，組成物質的原子是由原子核和電子組成的，電子以電子軌道的方式在核外運動。
原子和原子組成物體時，會有很多相同的電子混在壹起，這個相混的過程就是化學反應，形成化學鍵，就產生了新分子。
但是兩個相同的電子沒法呆在壹個軌道上，為了讓這些電子不在壹個軌道上打架，於是很多軌道就再分裂出好幾個軌道。
可是這麽多軌道，壹不小心挨得近了，就會擠在壹起，形成寬軌道，這個寬軌道，就叫做能帶。
有些寬軌道上，擠滿了電子，電子就沒法移動，宏觀上就表現為絕緣，這個就叫做價帶。
而有些款軌道，則空曠的很，電子大把空間自由移動，宏觀上就表現為導電，這個就叫做導帶。
固體裏面充滿了價帶和導帶，價帶和導帶之間往往是有間隙的，這個間隙就叫做禁帶。
導帶和價帶之間挨得很近，那麽電子就可以毫不費力地從價帶變更車道到導帶上，這就是導體。
如果稍微離得遠了點，電子自身就不能跨過禁帶，但是如果也不是離得非常遠，禁帶在5ev內，那麽給電子加個額外能量，電子也能跨過禁帶，這就是半導體。
假如禁帶大於5ev，那基本就歇逼菜了，電子在普通情況下是跨不過去的，這就是絕緣體。
當然，凡事都有例外嘛，如果能量足夠大，別說5ev的禁帶，就是5000ev的禁帶也能壹沖而過，這個就叫擊穿場強（這個東西很重要，不信繼續看下去）。
當然，禁帶越寬，擊穿場強越高。
擊穿場強越高，就越耐草。
2. 第三代半導體
不要被第三代給嚇著了，哈哈。
第三代半導體，嚴謹地來說，叫做寬禁帶半導體，也就是禁帶寬於現在的矽基半導體。
按照半導體材料能帶結構的不同，禁帶寬度如果小於2.3ev，那就是窄禁帶半導體，代表材料有：GaAs、Si、Ge、InP（有讀者可能不了解化學，這幾個材料翻譯成中文就是：砷化鎵、矽、鍺、磷化銦）。
如果禁帶寬度大於2.3ev，那就叫做寬禁帶半導體，代表材料有：GaN、SiC、AlN、AlGaN（中文名：氮化鎵、碳化矽、氮化鋁、氮化鎵鋁）。
由前文分析，我們可知，半導體禁帶寬度越大，則其電子躍遷到導帶需要的能量也就越大。
呵呵，那當然擊穿場強也越大了，這意味著材料能承受的溫度和電壓更加高。
由此可知，寬禁帶半導體和集成電路，也就是和邏輯芯片，沒有什麽太大關系了。
邏輯芯片的核心在於怎麽把晶體管做小，也就是制程提高。
而電力電子器件、激光器，則是怎麽考慮承受更高的電壓、電流、頻率、溫度，然後有更小的電力損耗，以應用在各種惡劣環境和大功率環境下。
想的是怎麽耐草的問題。
所以，寬禁帶半導體大展身手的地方，在電力電子器件、激光發生器上。
目前比較有希望的兩種材料是碳化矽和氮化鎵，其他的長晶很困難。
碳化矽主要用在功率器件上，現在最熱的就是用在電動車上，因為帶來電力損耗減少，能夠提高電動車的續航。
以後在光伏和風電發電中，用上碳化矽的話，也能夠提高發電效率，促進度電成本下降。
所以在這麽壹個政治家推動的電氣化時代，其需求是很迫切的。
氮化鎵則主要是用於微波器件上，比如5G基站的射頻芯片就要用到它，否則效果就比較差。
特別是軍方的電磁對抗，更加需要氮化鎵，來增加單位微波功率。
在5G時代，氮化鎵是不可或缺的。
02
露笑是個大坑嗎
國內的話，研究寬禁帶半導體主要有3個流派，中科院物理所、中科院上海矽酸鹽所、山東大學，最主要的研究方向就是寬禁帶半導體襯底的晶體生長。
因為這個行業最源頭的，以及最難的，就是襯底片的制造。
就像矽基的半導體，要是沒有矽片，那做毛個芯片呢？
這三個流派都是90年代開始就開啟研究了，起步時間和國外是差不太多的，讀者有興趣可以自行搜索下他們的論文。
中科院物理所是陳小龍領頭，成立產學研轉化的企業是天科合達。
這個企業去年撤回了IPO，有些奇怪。
坊間傳聞，據說是陳小龍出走了。
天科合達的金主是新疆生產建設兵團，控股方是天富集團，A股的影子股是天富集團控股的天富能源，占了10.66%的股份。
山東大學是徐現剛領頭，產學研的企業是山東天嶽。
原本的領頭人是徐現剛的老師蔣民華院士，遺憾的是這位大佬不幸於2011年逝世，事未竟而身先死，科學真的是燒人的事業啊。
這裏向領路的大佬致以崇高的敬意！
山東天嶽前段時間參加了上市輔導，相信很快就會跟大家在A股見面。
大家對他的熱情也是非常高漲啊，穿透下來只有他股權2%的柘中股份都被資金頂了7個板。
中科院上海矽酸鹽所，則是陳之戰領頭。
陳之戰之前在世紀金光幹過，後來20年5月份，和露笑 科技 走在了壹起。
這個露笑 科技 ，算是最近的股吧熱門了。
漲了壹倍之後，前幾天就出來自媒體的老師們在微信公眾號、抖音等平臺出來說，這是家蹭熱點的騙子公司。
對比大家壹定要有自己的判斷，要知道這些老師並不是業內人士，很有可能不懂技術，只是翻了壹下二手資料。
露笑 科技 曾經追逐熱點，投資的鋰電池、光伏也都失敗了。
但是並不能以此推導出他的管理層就是壞家夥。
露笑 科技 原來的主營業務漆包線，是人都知道的傳統行業，競爭激烈，管理層當然也知道這是沒有什麽前途的。
謀取轉型，某種程度上說明管理層是有進取心的。
但轉型是困難的，踏足壹個未知領域，哪有這麽簡單。
這個頭疼的東西，山西的煤老板們最清楚了。
而做壹級投資的都知道，熱門行業的好項目，是拼爹的玩意兒，要各種關系、資源的，那個東西是妳手上有錢就能投的進去的嗎？
但是如果沒有投到厲害的公司身上，那大概率是要被有爹的給幹死的。
在低潮期撿漏，像高瓴投騰訊、段永平投網易，都是高難度動作，傳奇故事，需要天時地利人和來配合，這種機會不僅是少，而且非常難把握。
碳化矽這個東西嘛，以往並不是很熱，因為商業化應用的領域沒有出來。
陳小龍在媒體采訪時就曾經透露到，天科合達在成立後的10多年裏未曾盈利，給投資方和團隊都帶來了非常大的壓力。
而美國軍方扶持起來的CREE，就算有軍方爸爸，但是在2016年的時候也頂不住，想要把企業賣給英飛淩。
而電動車領域裏，就在2020年，特別疫情期間，大家還懷疑，補貼退坡之後，會不會就面臨死亡了。
當時還有人專門寫了《預言壹場電動爹大逃殺》來看空呢。
那妳們想想，碳化矽器件目前最好的應用場景，在去年都還是這個熊樣，誰又會多留意碳化矽呢？
當時的大熱門還是功率器件的國產替代，是矽基的IGBT、MOSFET，是斯達半導體、新潔能。
所以20年露笑 科技 找到陳之戰，或許和以往的投資，有些不同吧。
國內碳化矽襯底還局限在二極管的應用，芯片質量主要來自於襯底，也因此幾乎國內SiC器件都來自國外。
目前碳化矽四寸片，做的比較好的是天科合達、河北同光以及山西爍科等幾家企業。
但是六寸量產（每個月穩定出貨量在幾百片）的廠商，目前還基本沒有。
也就是說，三大流派其實還是半斤八兩，都還需要突破，否則華為怎麽對天科合達和山東天嶽都壹起投資呢？
當下這個階段就是，誰能率先突破，誰就會享有先發優勢，並在行業景氣的助力下，實現超額收益，獲得市場的估值溢價。
或許當合肥露笑半導體的碳化矽襯底片出來後，華為也會進來投資壹筆呢。
合肥市政府號稱最牛風投，人家可不是傻子。
至於說露笑 科技 沒有技術積累，這真不知道怎麽說，陳之戰大哥和他的團隊、學生已經研究了20多年了。
很可能是，露笑 科技 的藍寶石業務部門，19年在給中科鋼研代工碳化矽長晶爐的時候，突然發覺這是個有戲的行業，隨後才找到了陳之戰。
總之，對於露笑 科技 ，大家要有自己的判斷，核心點有且只有壹個，陳之戰團隊能不能紮下根來。
最後，做個總結。
君臨認為，目前碳化矽的投資，最好的應該是襯底環節，這個環節現在產能不足、壁壘極高。
而襯底的企業，則主要是看已經研究了20多年的國內三大流派旗下企業。
按照中國的科研環境、功率器件企業發展狀況來說，其他的團隊壓根沒法分杯羹。
材料技術是積累出來的，燒人燒時間，更加燒錢。
現在行業熱了再來開始研發，短時間根本不可能見效。
中科院的兩個研究所，山東大學蔣院士的團隊，科研的資源肯定是最豐富的，但是人家陳小龍都說壓力很大，所以別的團隊申請科研基金都不容易。
露笑 科技 說9月份能試生產，年底批量生產，而且是6英寸的，有陳之戰在，應該不是講大話。
壹旦襯底片年底真的量產了，那就是國內領先了，以國內資金對 科技 的熱度，自然會有神秘的東方估值力量。
寬禁帶半導體領域裏，全球都還是在懵懵懂懂的階段，咱們和美國雖然有差距，但也不是這麽大。
特別是他的主要應用領域，新能源發電、新能源 汽車 、5G通訊、航空航天、電磁對抗，咱們國家都是最大的應用市場和制造商，特別是光伏、風電、電動車、5G這些大規模民用的領域。
技術的進步還是源自經濟利益的驅使，產業的需求對於技術進步的作用是最大的。
所以寬禁帶半導體的投資在目前是大有可為，很有可能在我們國家誕生全球龍頭，這個想象空間大不大？
至於氮化鎵等材料，以及外延、器件設計制造等環節，行業本就是新興的，肯定也是有大機會的，君臨會在後續的跟蹤文章中持續輸出，帶領讀者徹底搞定這個領域。