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作者的中文名字是孫；張虹；雅閻誌；王慧娟；
文獻來源:程剛科技，編輯部電子郵箱01，2006
期刊榮譽:CJFD收錄期刊
輝光放電光譜儀；直流偏置電流；射頻等離子體；增強系數；激發能量；銅；
在輝光粒子中引入DC偏流可以增加發射譜線的強度。20-30mA的偏置電流通常可以使激發能量為3-4ev的原子譜線的發射強度增加11-20倍。增強系數很大程度上取決於等離子體氣壓和RF功率。激發能量約為5.7ev的原子發射譜線強度大大提高，增強系數超過50。然而，在不考慮等離子體條件的情況下，當激發能量超過7ev時，發射譜線的強度增加很少。
DOI CNKI:孫:CHGJ.0.2006-01-015
ki.net/grid20/detail.aspxQueryID=29&貨幣=1
雙面輝光放電等離子體反應器系統的電學特性模擬
作者中文名字叫安誌勇；李；宋惠民；
作者英文名勇；李映紅；宋惠民(工程學院；空軍工程大學；西安710038)；
作者單位:空軍工程大學工程學院；Xi空軍工程大學工程學院；
文獻來源:核聚變與等離子體物理，核聚變與等離子體物理，編輯部郵箱，04，2007。
期刊榮譽:中文核心期刊主要內容概述:ASPT來源期刊CJFD。
血漿；流量控制；電氣特性；模擬；
英文關鍵詞大氣等離子體；流量控制；電氣特性；模擬；
利用Matlab軟件對大氣壓均勻輝光放電等離子體(OAUGDP)激勵器系統的電學特性進行了仿真。在仿真模型中，將等離子體放電建模為壓控電流源:當施加在空氣間隙上的電壓超過等離子體產生電壓時，開啟受控電流源；電流源的輸出電流與施加的電壓遵循冪定律。建立了OAUGDP激勵系統中等離子體放電的電路模型。仿真結果與實際勵磁系統的實驗數據吻合良好。仿真結果表明，在不同的運行條件下，放電電流和電壓遵循不同的指數冪定律，仿真的放電電流波形也不同。
大氣均勻輝光放電等離子體電學特性的模擬。用Matlab軟件對反應器系統進行了仿真。等離子體放電被模擬為電壓控制的電流源:當間隙兩端的電壓超過等離子體啟動電壓時，放電電流輸出並遵循所施加電壓的冪律。模擬結果與實驗數據壹致。還發現描述OAUGDP的電壓冪律對不同的情況是不壹樣的...
DOI CNKI:孫:HJBY.0.2007-04-018
ki.net/grid20/detail.aspxQueryID=29&貨幣=1
射頻激發的輝光放電粒子引入偏流，激發輻射強度的增強系數。
作者的中文名字是孫；張虹；雅閻誌；王慧娟；
文獻來源:程剛科技，編輯部電子郵箱01，2006
期刊榮譽:CJFD收錄期刊
輝光放電光譜儀；直流偏置電流；射頻等離子體；增強系數；激發能量；銅；
在輝光粒子中引入DC偏流可以增加發射譜線的強度。20-30mA的偏置電流通常可以使激發能量為3-4ev的原子譜線的發射強度增加11-20倍。增強系數很大程度上取決於等離子體氣壓和RF功率。激發能量約為5.7ev的原子發射譜線強度大大提高，增強系數超過50。然而，在不考慮等離子體條件的情況下，當激發能量超過7ev時，發射譜線的強度增加很少。
DOI CNKI:孫:CHGJ.0.2006-01-015
射頻輝光放電過程中工藝參數對極板自偏壓的影響
射頻放電參數對襯底偏壓的影響
作者中文名程宇航；吳懿平；徐德勝；陳建國；喬學良；謝長生；
作者的英文名字是程宇航吳懿平徐德勝陳建國喬學良謝長勝(華中科技大學430074中國)；
作者:華中科技大學材料學院；
文獻來源:電工學報，中國電工學會會刊，編輯部郵箱1999 05。
期刊榮譽:中文核心期刊主要內容概述:ASPT來源期刊CJFD。
射頻輝光放電；該板本身是偏置的；工藝參數；
射頻放電；基底偏壓；放電參數；
系統研究了射頻等離子體輝光放電過程中工藝參數對極板自偏壓的影響。結果表明，射頻輝光放電時下極板上產生的自DC負偏壓V與電源W和工作氣壓P的關系為V = KW/P，極板的負偏壓隨著極板間距的增大而增大。不同的放電氣體對極板自偏壓的影響不同，這與各種氣體本身的放電特性有關。
系統地研究了射頻放電參數對基片偏壓的影響。結果表明，基片偏壓V與射頻功率W和氣壓P有關，關系式為V=kW/P。兩電極間距離的增加導致基片偏壓的增加
華中科技大學模具技術國家重點實驗室和激光技術國家重點實驗室聯合資助。
DOI CNKI:ISSN:1000-6753 . 0 . 1999-05-014
ki.net/grid20/detail.aspxQueryID=165&·庫裏克=9
二極管射頻輝光放電獲取表面信息的機理和特性研究
利用射頻二極管輝光放電獲取表面信息的研究。
作者中文名唐正卿；丁力；
作者英文名唐正清丁力(電子工程系)；
作者單位:東南大學電子工程系；
文獻來源:《東南大學學報(自然科學版)》、《東南大學學報(自然科學版)》編輯部郵箱1989 02。
期刊榮譽:中國核心期刊概覽中國期刊廣場ASPT源刊CJFD
質譜；質譜；離子源；輝光放電；等離子探針診斷；
英文關鍵詞質譜；離子源；輝光放電；血漿診斷學；
本文研究了射頻輝光放電離子源後電離產生中性粒子信號的機理。本文介紹了放電等離子體的探針診斷和離子流的能量分析實驗。得出離子能量分布中心為20 ~ 25 ev，適合四極質譜分析。
本文研究了在射頻輝光放電光源中利用後處理技術產生濺射中性信號的機理。描述了放電等離子體的探針探測實驗和引出離子的能量分析。經鑒定，能量分布中心約為20-25 eV，適合於四極質譜分析。
DOI CNKI:ISSN:1001-0505 . 0 . 1989-02-005