肖特基勢壘指具有大的勢壘高度(也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT),以及摻雜濃度比導帶或價帶上態密度低的金屬-半導體接觸(施敏, 半導體器件物理與工藝, 第二版, 7.1.2)。
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是壹種熱載流子二極管。
肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候,在界面處半導體的能帶彎曲,形成肖特基勢壘。勢壘的存在才導致了大的界面電阻。與之對應的是歐姆接觸,界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。
肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸,就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。
肖特基二極管B160-13-F的參數
型號: B160-13-F
產品類型:肖特基管
材料:矽(Si)
封裝:SMA/DO-214AC
工作溫度範圍:-40-100(℃)
功耗:.
針腳數:2
批號:2014
是否進口:是