制造矽基陽極材料的排屑方法

1.矽基陽極材料芯片的制作方法，其特征在於:將矽切割廢料芯片與結構穩定劑混合，球磨成型，得到成型材料；結構穩定劑是堿金屬和/或堿土金屬的氯化物；矽切割廢屑含有金屬成分。

2.在600~1000℃的非氧化氣氛中對塑料材料進行物理改性。

3.將物理改性後的材料洗滌幹燥，然後用化學改性劑進行化學改性，再洗滌幹燥，得到鋰離子電池用納米矽負極材料。