王獲得的獎勵和榮譽

2007年1。2007年獲得日本半導體MIRAI項目優秀獎。獲獎項目是“金屬/高k柵疊層中閾值電壓異常變化的機理與控制”，我的排名是2；

2.2008年獲得日本半導體MIRAI項目最高獎。獲獎項目是“高k柵疊層中界面二極管效應的闡明和量化”，我的排名是9。

申請發明專利30余項，其中美國專利2項，日本專利2項，國內專利30余項。

承擔科研項目:

1.國家02科技重大專項:“22nm關鍵工藝技術中試研究及平臺建設”(批準號:2009ZX02035)，子項目負責人，在研；

2.國家自然科學基金重點項目:“鉿基金屬氧化物高K柵介質的基礎研究”(批準號。:50932001)，子項目負責人，在研；

3.教育部留學回國人員啟動基金:“納米CMOS器件金屬柵制備及高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術”，項目負責人，在研；

4.中科院微電子所所長基金會:“高k/金屬柵集成與閾值電壓控制技術”(批準號:08SF041001)，項目負責人，在研。