光譜儀設備編號:HIK-SCT-1 (1)系統簡介
& ampOslash全新的擺式幹涉儀易於實現快速掃描。幹涉儀穩定性高，體積小，結構緊湊，易於維護。
& ampOslash幹涉儀采用密封防潮防塵結構，有效降低了對使用環境的要求。
& ampOslash高強度紅外光源采用球面反射鏡，可以獲得均勻穩定的紅外輻射。
& ampOslash程控增益放大電路、高精度A/D轉換電路的設計和嵌入式微機的應用，提高了儀器的精度和可靠性。
& ampOslash光譜儀與計算機之間的控制和數據通信通過USB進行，完全實現了即插即用。
& ampOslash通用微機系統，全中文應用軟件，內容豐富。具有完整的譜圖采集、譜圖轉換、譜圖處理、譜圖分析、譜圖輸出功能，使操作更加簡單、方便、靈活。
(2)技術參數
& ampOslash波數範圍:4400 cm-1 ~ 600 cm-1。
& ampOslash分辨率:2cm-1，4cm-1可選。
& ampOslash波數精度:優於設定的分辨率1/2。
& ampOslash透光率的重復性::0.5%T
& ampOslash信噪比100%T線:2100 cm左右-1，信噪比優於10000:1(有效值)。
& ampOslash分束器:ZnSe
& ampOslash檢測器:MCT DTGS可選
& ampOslash光源:高性能風冷高效球面反射紅外光源設備名稱:四探針測試儀設備編號:HIK-SCT-3 (1)系統簡介
四探針測試儀是利用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器根據《單晶矽物理測試方法》國家標準並參考美國A.S.T.M標準設計，是測試半導體材料電阻率和薄層電阻(方塊電阻)的專用儀器。
該儀器由主機、試驗臺、四探針、計算機等部分組成。測得的數據可以由主機直接顯示，也可以由計算機采集進行分析，然後對測試結果進行統計分析，以表格和圖形的形式顯示。
這臺儀器是用最新的電子技術設計和組裝的。具有功能選擇直觀、測量速度快、精度高、測量範圍寬、穩定性好、結構緊湊、操作簡便等特點。
(2)適用範圍
本儀器適用於半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、大專院校測試半導體材料的電阻性能。105
(3)技術參數測量範圍電阻率:10-4 ~ 105ω·cm；方塊電阻:10-3 ~ 106ω/□(可擴展)；電導率:10-5 ~ 104s/cm；電阻:10-4 ~ 105ω；可測晶圓直徑140mmX150mm(配有S-2A測試臺)；200mmX200mm(配備S-2B試驗臺)；400mmX500mm(配備S-2C試驗臺)；恒流源的電流範圍分為六檔:1uA、10uA、100A、10mA、100mA，各檔數字電壓表的量程和表達式可在000.00至199.99 MV之間連續調節；分辨率:10uV；；輸入阻抗>；1000mω；準確度:0.1%；顯示:四個半紅色LED數字顯示；自動顯示極性和超量程；四探針基本分度間距:1.01mm；引腳間絕緣電阻:≥1000mω；機械跑偏率:≤0.3%；探頭:碳化鎢或高速鋼ф0.5mm；探針壓力:5 ~ 16牛頓(合力)；模擬電阻測量的相對誤差為0.01ω、0.1ω、1ω、10ω、10000ω≤0.3% 1整機測量的最大相對誤差(用矽標準樣品測量:0.01-10cm) ≤5%整機測量的標準不確定度≤5%計算機通信接口並口的標準工作環境溫度為23±2。相對濕度:≤65%；無高頻幹擾；無直射眩光；設備名稱:少數載流子壽命測試儀設備編號:HIK-SCT-5 (1)系統簡介
少數載流子測試範圍為1μs至6000μs，矽材料電阻率下限為0.1ω·cm(可擴展至0.01ω·cm)。測試過程全程監測動態曲線，少子壽命測量可以靈敏地反映單晶表面的重金屬汙染、陷阱效應等缺陷。是初級多晶矽材料和半導體、太陽能拉晶企業不可多得的少子壽命測量儀器。
(2)適用範圍
少子壽命測試儀是壹種功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用於測量矽片的少子壽命，也適用於測量矽棒、矽芯、磷檢驗棒、硼檢驗棒、籽晶等不規則形狀的少子壽命。
(3)產品特點
& ampOslash測試範圍廣，包括矽塊、矽棒、矽芯、磷探測棒、硼探測棒、籽晶、矽片、鍺單晶的少子壽命測量。
& ampOslash主要用於矽棒、矽芯、磷檢驗棒、硼檢驗棒、籽晶、矽塊和矽片的進出檢驗，以及生產過程中重金屬汙染和缺陷的監測。
& ampOslash適用於低阻矽材料少子壽命的測量，電阻率測量範圍可達ρ>；0.1Ω?Cm(可以擴展到0.01ω？Cm)，徹底解決了微波光電導無法檢測低阻單晶矽的問題。
& ampOslash動態測試過程全程監控，避免了u-PCD無法觀測晶體矽陷阱效應、表面復合效應有缺陷等問題。
& ampOslash穿透深度大，達到500微米。與微波光電導30微米的穿透深度相比，真實反映了少子壽命的測量，避免了表面復合效應的幹擾。
& ampOslash特別定制的樣品架滿足初級多晶矽生產企業測試各種形狀矽材料少子壽命的要求，包括矽芯、磷探測棒、硼探測棒等。
& ampOslash性價比高，價格遠低於國外少子壽命測試儀產品，大大降低了企業的測試成本。
(4)技術參數
& ampOslash測試材料:矽半導體材料——矽棒、矽芯、磷探測棒、硼探測棒、籽晶、矽塊、矽片等。、鍺半導體材料。
& ampOslash少數載流子壽命測試範圍:1μs-6000μs
& ampOslash可測低阻矽材料的下限為0.1ω。cm，可以擴展到0.01ω. cm。
& ampOslash激光波長:1.07μm
& ampOslash激光在單晶矽中的穿透深度:500μm
& ampOslash工作頻率:30MHz
& ampOslash低輸出阻抗和輸出功率>:1W
& ampOslash電源:~ ~220V 50Hz功耗
(1)系統簡介
Dektak 150集成了40多年的技術積累和創新，提供多種可選配置，滿足不同應用方向用戶的需求。采用實心鋁材制成的機身框架和支撐部件顯著提高了儀器的可重復性，減少了地板噪音對測量的幹擾。基於Windows XP的Dektak隨機設備軟件系統界面友好，為用戶提供了完善的分析功能。“壹鍵式”操作模式使測量工作簡單易行。通過選擇三維成像附件組，儀器的功能也可以大大擴展。
(2)適用範圍
探針表面輪廓儀(臺階儀)主要用於許多領域，如薄膜厚度測量、樣品表面形貌測量、薄膜應力測量、樣品表面粗糙度/波紋度測量、樣品表面三維形貌測量。
(3)主要特點
& ampOslash臺階高度測量的高重復性
& ampOslash基於光學參考面的精密加工，樣品臺保證了長距離掃描中基線的穩定性。
& ampOslash卓越的可用性和可維護性。
& ampOslash最佳樣品適用性
& ampOslash高分辨率粗糙度測量
& ampOslash強大的軟件分析系統
& ampOslash三維表面形貌測量的功能可擴展性
& ampOslash廣泛的應用
(4)技術參數
& ampOslash測量重復性6
& ampOslash掃描長度為50μm-55mm。
& ampOslash單次掃描的最大數據點數為60，000。
& ampOslash樣品最大允許高度為100mm(根據配置不同會有所變化)。
& ampOslash垂直範圍為524μm (1mm可選)。
& ampOslash最高垂直分辨率為1？(在6.55μm的範圍內)
& ampOslash樣品臺150mm，X-Y-θ手動調整。
& ampOslash探頭壓力範圍為1-15毫克(0.03毫克可選)。
& ampOslash攝像顯微鏡的視野為2.6mm (0.67-4.29mm可選)。設備名稱:壹次多晶電阻率測試儀。設備編號:HIK-SCT-10 (1)系統介紹。
原多晶電阻率測試儀是壹款高端電阻率測試儀，具有大量程、超大量程測量電阻率的特點，實現了從0.0001歐姆的電阻率測量範圍。厘米到幾萬歐姆。cm(可擴展)，具有測量精度高、穩定性好、測量範圍寬、結構緊湊、使用方便等特點。是西門子法、矽烷法等工藝生產初級多晶矽的企業、物理提純生產多晶矽的企業、半導體材料廠、器件廠、科研部門、大專院校、需要超大量程電阻率測試的企業的最佳幫手。
(2)產品特點
& ampOslash適用於西門子法、矽烷法等工藝生產初級多晶矽的企業。
& ampOslash適用於物理提純生產多晶矽生產企業。
& ampOslash適用於光伏拉晶錠和ic半導體器件企業。
& ampOslash適用於需要測量超大量程電阻率的科研部門、大專院校和企業。
& ampOslash測量精度高，除厚度修正功能外，還具有溫度修正、晶圓直徑修正等功能。
& ampOslash獨特的設計能有效消除測量引線和接觸電阻帶來的誤差，實現高精度和極寬的測量範圍。
& ampOslash雙位數字表結構使測量更精確，操作更簡單。
& ampOslash具有強大的測試數據查詢和打印功能。
& ampOslash測量系統可實現自動換向測量、平均值、最大值、最小值、平均百分比變化率等。
& ampOslash四探頭采用進口紅寶石軸套導向結構，降低了探頭的跑偏率，大大提高了測量重復性。
& ampOslash采用進口元器件，留有較大的安全系數，大大提高了測試儀的可靠性和使用壽命。
& ampOslash電流由高度穩定的專用恒流源(萬分之五精度)測量，不受氣候條件影響。
& ampOslash具有陽性檢測和陰性檢測功能，確保檢測結果的準確性。
& ampOslash具有抗強磁場和高頻設備的性能。
(3)技術參數
& ampOslash可測電阻率範圍:10-5—1.9×1.05ω·cm(可擴展)。
& ampOslash測量精度
& ampOslashAc 220v 10% 50/60hz功率:12W設備名稱:無接觸電阻率模型測試儀設備編號:HIK-SCT-15 (1)系統簡介
非接觸式電阻率模型測試儀是基於渦流測試技術，可以無接觸、無損傷地測試矽材料、矽棒、矽錠和矽片的體電阻率。
(2)產品特點
& ampOslash廣泛的測試範圍&；Oslash該產品體積小，便於移動和攜帶。
& ampOslash用渦流法測量矽錠、棒和返回電荷的電阻率
& ampOslash非接觸無損快速測試
& ampOslash測試前不需要表面處理。
& ampOslash特別是對於多晶體，可以有效避免晶界對測試的影響。
& ampOslash可選的非接觸式PN模型測試功能
& ampOslash溫度和厚度可以校正。
(3)技術參數
& ampOslash最小測試厚度:200μm
& ampOslash測量時間:2秒/次
& ampOslash最小測試面積:30x30 mm2
& ampOslash推薦溫度:20℃
& ampOslash濕度:≤80%
& ampOslash氣壓:86-106千帕
& ampOslash工作電壓:230 10V
& ampOslash頻率，50±3赫茲
& ampOslash功耗:≤5W
& ampOslash尺寸(LxWxH):280x200x60mm設備名稱:矽片缺陷測試儀設備編號:HIK-SCT-18 (1)系統介紹。
矽片缺陷觀察儀用於觀察矽片的缺陷，效果非常明顯，包括位錯、堆垛層錯、劃痕、邊裂等，肉眼無法觀察到。實時圖像分析、測量和統計，以提高傳統光學儀器的使用。借助投影儀、計算機等顯示和存儲設備，可以更好地觀察和保存研究成果。
(2)產品特點
& ampOslash適用於觀察矽片的缺陷，效果非常明顯，包括位錯、堆垛層錯、劃痕、崩邊等。，肉眼無法觀察到；
& ampOslash使矽片缺陷的觀察變得簡單而準確，同時大大降低了這項工作的強度；
& ampOslash實時圖像分析、測量和統計，以提高傳統光學儀器的使用。有了投影儀、計算機等顯示和存儲設備，可以更好地觀察和保存研究成果；
& ampOslash采用1/2CMOS感光芯片，體積小，工藝先進，像素高，成像清晰，線條細膩，色彩豐富；
& ampOslash傳輸接口為USB2.0高速接口，軟件模塊化。
& ampOslash有效分辨率為200萬像素；
& ampOslash該軟件可以與windows 2000和windows XP操作系統兼容。設備名稱:多晶矽紅外探傷儀設備編號:HIK-SCT-19 (1)系統簡介
紅外探傷儀——是專門用於檢測多晶矽片生產中的裂紋、雜質、黑點、陰影、微晶等缺陷的儀器。
(3)產品特點
& ampOslash為太陽能多晶矽片生產過程中的質量控制提供了有力的監控工具。
& ampOslash檢測速度快，每個矽塊平均檢測時間不超過1分鐘。
& ampOslashNIRVision軟件可以對四面探傷結果進行分析，並將結果直接轉換成三維模型圖像。
& ampOslash成像過程將自動標記內含物的位置。
& ampOslash獨特的增強型插值方法為高分辨率雜質檢測功能提供了強有力的技術保障。
& ampOslash采用歐洲數控工程鋁合金材料
& ampOslash表面采用高強度油漆和電氧化工藝保護。
& ampOslash系統框架采用高品質工業設計。
& ampOslash所有部件的設計都是為了滿足長期高強度使用和最少維護的要求。
& ampOslash通過自動或手動旋轉，可以全面檢測矽塊的前後左右和上下。
& ampOslash紅外光源由交流和DC光源控制，光強可由軟件直接控制。同時具有過熱保護功能。
& ampOslash同時，軟件包括雜質圖像的管理和分析功能。
& ampOslash良好的穩定性和耐用性。
& ampOslash最好是打磨探傷測試的表面，所以建議在線切割前進行紅外探傷。
& ampOslash紅外成像光源受電阻率的影響。矽塊的電阻率越低，吸收的紅外光就越多。
& ampOslash壹般電阻率不應低於0.5歐姆*厘米，推薦電阻率在0.8歐姆*厘米以上。
(4)技術參數
■主要檢測指標:夾雜物(通常為SiC)、裂紋、顆粒等。
■矽塊的電阻率:≥0.8歐姆*厘米(推薦)
■檢查時間:平均每個矽塊1分鐘。
■最大探測深度:200毫米。
■外部框架和盒子
& gt尺寸:143x53x55
& gt外框采用數控工程鋁合金。
& gt外部框架是覆蓋有靜電強塗料鋁板。
& gt主發動機重量:98千克
& gt附件重量:25公斤
■轉盤
& gt采用單軸伺服電機
& gt最大承重:40公斤
& gt具有過電流保護，以防止損壞和電機燒毀。
& gt無失步，高分辨率解碼機
■紅外光源
& gt高強度近紅外鹵素燈，加熱波長273毫米
& gt功率:230 V，1000 W。
& gt溫度:25-60攝氏度
& gt光強可以由軟件控制。
& gt該軟件有過熱保護。
■觀察儀器
& gt用紅外CCD控制溫度
& gt12位模數轉換器
& gt頻率:60Hz和100Hz。
& gt像素間距:30μm
& gt分辨率:320x256像素
& gt手動可調紅外鏡頭