分類按形狀可分為長靶、方形靶和圓形靶。異形靶根據用途不同可分為金屬靶、合金靶和陶瓷化合物靶，根據應用領域還可分為半導體相關陶瓷靶、記錄介質陶瓷靶、顯示陶瓷靶、超導陶瓷靶和巨磁電阻陶瓷靶，如微電子靶、磁記錄靶、光盤靶、貴金屬靶、薄膜電阻靶、導電膜靶、表面改性靶、掩膜層靶、裝飾層靶等。電極靶、封裝靶和其他靶的磁控濺射原理:在被濺射的靶(陰極)和陽極之間加壹個正交的磁場和電場，在高真空室內充入所需的惰性氣體(壹般為Ar氣)，永磁體在靶材表面形成250 ~ 350高斯的磁場，與高壓電場形成正交的電磁場。在電場的作用下，Ar氣體電離成正離子和電子，並對靶材施加壹定的負高壓。從靶發射的電子受到磁場的影響，工作氣體的電離幾率增加，在陰極附近形成高密度等離子體。Ar離子在洛倫茲力的作用下加速飛向靶面，高速轟擊靶面，使靶上濺射的原子遵循動量轉換原理，以高動能飛向基底沈積薄膜。磁控濺射壹般分為支流濺射和射頻濺射兩種，其中支流濺射設備原理簡單，濺射金屬時速度快。射頻濺射的應用更加廣泛。除了導電材料，還可以濺射非導電材料，同時還可以通過反應濺射制備氧化物、氮化物、碳化物等化合物材料。如果射頻的頻率提高，就會變成微波等離子體濺射，常用的是電子回旋* *振動(ECR)式微波等離子體濺射。
磁控濺射鍍膜靶；
金屬濺射靶、合金濺射靶、陶瓷濺射靶、硼化物陶瓷濺射靶、碳化物陶瓷濺射靶、氟化物陶瓷濺射靶、氮化物陶瓷濺射靶、氧化物陶瓷濺射靶、硒化物陶瓷濺射靶、矽化物陶瓷濺射靶、硫化物陶瓷濺射靶、碲化物陶瓷濺射靶、其他陶瓷靶、Cr-SiO陶瓷靶、InAs靶、PbAs砷化物靶。
高純度和高密度濺射靶包括:
濺射靶(純度:99.9%-99.999%)
1.金屬靶:
鎳靶材、鎳靶材、鈦靶材、鈦靶材、鋅靶材、鋅靶材、鉻靶材、鉻靶材、鎂靶材、鎂靶材、鈮靶材、鈮靶材、錫靶材、錫靶材、鋁靶材、AlSi靶材、銦靶材、銦靶材、鐵靶材、鐵靶材、鋯鋁靶材、鋯鋁靶材、鈦鋁靶材、TiAl靶材、鋯靶材、鋯靶材、鋁矽靶材等。y，鈰靶，Ce，鎢靶，W，不銹鋼靶，鎳鉻靶，NiCr，鉿靶，Hf，鉬靶，Mo，鐵鎳靶，FeNi，鎢靶，W等金屬濺射靶。
2.陶瓷靶
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化矽靶、碳化矽靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化矽靶、壹氧化矽靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶、二氧化鉿靶、二硼化鈦靶、二硼化鋯靶、三氧化鎢靶。五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶、氮化矽靶、氮化硼靶、氮化鈦靶、碳化矽靶、鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶。
3.合金靶
高純合金濺射靶，如鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁矽合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金靶、鎳釩合金靶、鐵硼合金靶和矽鐵合金靶。