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氧化鎵的用途:
1、 氧化鎵並不是很新的技術，多年前就有公司和研究機構對其在功率半導體領域的應用進行鉆研，但就實際應用場景來看，過去不如SiC和GaN的應用面廣，所以相關研發工作的風頭都被後二者搶去了。而隨著應用需求的發展愈加明朗，未來對高功率器件的性能要求越來越高，這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優勢和前景，相應的研發工作又多了起來，已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點和競爭重點。而我國在這方面還是比較欠缺的。
2、 雖然氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化矽(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和矽(1.1eV)的。由於禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，並且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。此外，寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。
3、 氧化鎵是壹種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。
4、 氧化鎵是壹種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大於矽，氮化鎵和碳化矽，在高功率應用領域的應用優勢愈加明顯。但氧化鎵不會取代SiC和GaN，後兩者是矽之後的下壹代主要半導體材料。氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓範圍方面發揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。