雖然早盤指數震蕩偏弱，但外資態度相對積極，壹改此前持續流出的局面，呈現流入態勢。在不久的將來，應該持續跟蹤外資的趨勢。由於交易型外資增加，短期流向波動加大，但瞄準中長期的配置型外資表現依然穩健，這也有待區分。
需要註意的是，根據規定，創業板股票被給予風險警示後，漲跌停板比例仍為20%。在過去的壹個月裏，樂凱新材料和天龍光電的股價漲幅都超過了30%。雖然都是上漲，但作為投資者，還是要分清邏輯，是情緒驅動還是基本面驅動。前者只能決定短期。
除了創業板上火熱的低價股，半導體材料的走勢也不容忽視，尤其是在政策利好的情況下。但從相關股票的形態來看，還是以遊資炒作為主，機構主導的品種不是很強，所以是短線。
很多投資人對第三代半導體材料不是很清楚，認為第三代比第壹、二代先進。其實不是升級關系，只是應用範圍不同。
目前第三代半導體材料的研究和水平相差不遠。國內業界和專家認為，第三代半導體材料成為我們擺脫集成電路(芯片)被動局面，實現芯片技術趕超的良機。
第壹代半導體材料以矽(Si)和鍺(Ge)為代表。目前，大多數半導體是以矽為基礎的。
以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表的第二代半導體材料，是4G時代大部分通信設備的材料。
以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表的第三代半導體材料是5G時代的主要材料。
第三代半導體的性能優勢:耐高壓、耐高溫、功率大、抗輻射、導電性強、工作速度快、工作損耗低。
其中碳化矽SiC的市場應用領域偏向於1000V以上的中高壓範圍，具有高壓、高溫、高頻三大優勢，比Si更薄、更輕、更小。據預測，從2017年到2023年，SiC的年復合增長率將達到31%，到2023年，其市場規模約為654380.5億美元。
碳化矽行業的全球競爭格局:
美國仍是世界第壹，Cree、道康寧、II-VI、道康寧、Transphorm等頂級企業占全球碳化矽產量的70-80%。
歐洲擁有完整的碳化矽下沈、外延、器件和應用產業鏈，獨特的高端光刻機制造技術，以及英飛淩、意法半導體、思創電子、IQE等優勢廠商。
南韓專註於R&D和高純SiC粉末、高質量SiC外延材料和矽基SiC和GaN功率器件的生產。
日本技術力量雄厚，產業鏈完整，在設備和模塊開發方面處於領先地位，擁有松下、羅馬半導體、住友電氣、三菱化學、瑞薩、富士電機等知名廠商。
中國發展迅速，已經進入粗放型工業化和收入型階段，逐漸具備與國際巨頭並駕齊驅、變道超車的基礎條件。主要企業有:中電國際、田可何達、泰科天潤、山東田玉娥、東莞天宇、深圳基礎半導體、上海展新電子、三安集成等。
汽車電動化將形成碳化矽最大的下遊市場。
中國是全球最大的新能源汽車市場，電動車行業擁有國內替代的沃土。中國新能源汽車市場占全球市場壹半以上，是全球最大的新能源汽車市場。2019年新能源汽車全球銷量為215萬輛，中國銷量達到116萬輛，中國市場占全球市場的54%。
目前，IGBT+矽FRD仍然是xEV的主要驅動逆變器。考慮到未來電動汽車需要更長的續駛裏程、更短的充電時間和更高的電池容量，SiC MOSFET元器件將是大勢所趨，時間節點約為2021年。SiC有望提高SiC逆變器效率3%-5%，從而降低電池成本。中頻變頻器和發電機增長較大，在全混動電動車和插電式混動中增速近100%。然而，增長最快的輕型混合動力電動汽車帶來的半導體的價值增量更大。