什麽是igbt？

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的縮寫。IGBT是由MOSFET和雙極晶體管組成的器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。它結合了這兩種器件的優點，既有MOSFET器件驅動功率低、開關速度快的優點，又有雙極器件飽和電壓低、容量大的優點。其頻率特性介於MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率範圍內正常工作。它在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，並在高頻和中功率應用中占據主導地位。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:集電極-發射極間電壓(符號:VCES):柵極-發射極短路時集電極-發射極間的最大電壓。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:柵發射極間電壓(符號:VGES):集電極發射極短路時柵發射極間的最大電壓。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:集電極電流(符號:IC):集電極允許的最大DC電流。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:耗散功率(符號:PC):單個IGBT允許的最大耗散功率。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:結溫(符號:Tj):元件連續工作時芯片的溫度。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:關斷電流(符號:ICES):柵極和發射極之間短路，集電極和發射極之間施加規定電壓時的集電極電流。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:漏電流(符號:IGES):集電極和發射極短路，在柵極和集電極之間施加規定電壓時的柵極漏電流。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:飽和壓降(符號:V CE(sat)):在規定的集電極電流和柵極電壓條件下，集電極和發射極之間的電壓。

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊參數:輸入電容(符號:Clss):在柵極和發射極之間施加規定電壓時，柵極和發射極之間的電容。