壓電應變常數
鋯鈦酸鉛-4: 289m/V
鋯鈦酸鉛-5:372米/伏
鋯鈦酸鉛-8: 225m/V
壓電電壓常數
鋯鈦酸鉛-4:2.6微米/納米
鋯鈦酸鉛-5:2.48微米/納米
鋯鈦酸鉛-8: 2.5Vm/N\
微電子研究所1999發表的學術論文
壹、器械研究室
鍺矽微波功率異質結雙極晶體管
、賈洪勇、陳
中國電子，11，1999。
我們開發了與矽技術兼容的簡單平面工藝，並成功開發了適用於微波功率應用的SiGe異質結雙極晶體管(HBT)。其電流增益為50-320，集電極和發射極的擊穿電壓分別達到28V和5V。在* * *發射極連接、C類工作條件下，連續波功率輸出達到5W，集電極轉換效率為63%。在此基礎上，工作在900M MHz時，功率增益達到7.4dB。
用於通信領域的MEMS器件
、李誌堅、劉
電子科技導報，7，1999
微電子機械系統(MEMS)技術在未來通信領域有著廣泛的應用。本文介紹了幾種用於通信線路的MEMS器件。如微電容、微電感、微諧振器、濾波器和微開關及其主要性能。
等離子幹法刻蝕制備沈積玻璃-英國合金微結構陣列的P- Si微模具
、劉、、譚誌敏、、李誌堅。
第二屆亞歐等離子體表面工程國際會議，1999.9，北京。
本文采用等離子幹法刻蝕在P型矽上制作微模具，然後用電化學方法填充模具。從而獲得Pomo金屬(80%鎳，20%鐵)的微觀結構。微結構bimo合金作為壹種軟磁材料，在MEMS研究中有著廣泛的應用。為了獲得橫向尺寸為100mm×100mm的微結構，首先用等離子體方法在矽片上刻蝕出壹個帶有掩膜圖形的方形深槽。CF4和SF6混合作為腐蝕性氣體。10分鐘可以獲得10 mm的深槽。該工藝顯示了單晶矽的高蝕刻速度。然後將深槽用作選擇性電沈積的模具。為了實現電解質和矽電極之間的電荷轉移，方形電池的底部摻雜了硼原子，並使用了特殊的夾具。這樣，DC電鍍電流可以從矽晶片的背面加到電鍍襯底上，從而獲得高度均勻的微結構。利用這種方法，成功地獲得了高磁導率(1700)Bohm合金的微觀結構。
高性能雙軸微加速度傳感器的制作研究
、劉、李誌堅
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
本文給出了將集成電路技術與LIGA技術相結合，在矽基材料上制作以鎳金屬為結構材料的高性能微加速度傳感器的研究結果。由於使用了金屬材料，該器件可以在較小的尺寸內獲得較高的靈敏度。采用特殊結構，使裝置處於最佳阻尼狀態。制造工藝主要包括厚膠光刻、沈積電鍍種子層、電化學沈積犧牲層和X射線曝光。
背對準X射線光刻掩模的制作研究
、劉、李誌堅
10全國電子束、離子束和光子束年會，11月1999，湖南長沙
深X射線光刻是制作高深寬比MEMS結構的重要方法。由於大多數LIGA掩模支撐膜的光學不透明性，很難進行需要重復對準的多次曝光。我們通過使用反向對準的X射線光刻掩模很好地解決了這個問題。給出了掩模制作工藝的研究結果。整個過程包括沈積氮化矽、紫外光刻、電化學沈積金吸收劑、體矽刻蝕形成支撐膜等。使用卡爾蘇斯雙面準曝光機，對準精度可以達到2mm。
臺面結構矽光電集成微電機的設計
齊、譚誌敏、劉、李誌堅。
清華大學學報，39(S1)，1999.4。
為了解決凸極法蘭結構靜電振動微電機壽命短、測速難的問題，提出了壹種臺面結構光電集成振動微電機。用單晶矽臺面法蘭代替厚度為1.1 mm的懸浮多晶矽法蘭，具有機械強度高、摩擦系數低、耐磨、不塌陷的優點。電機的軸也用實心軸代替了2 mm的空心軸，克服了軸因磨損和受力而變形的問題。從而大大延長了電機的使用壽命。另壹方面，電機上集成了光電測速電路，可以精確測量電機轉速。也可以形成閉環控制系統，或者作為斬波器，成為真正的MEMS電子系統。新型電機工藝簡單，與IC工藝完全兼容，可批量制造。
光電集成測速矽靜電微動電機
齊、後羿、劉
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
本文將微電機和光電二極管集成在壹起，組成光電測速系統。電機轉子下方集成了幾個光電二極管，通過反向偏置二極管的暗電流和亮電流的變化來測量電機的轉速。提高了電機的測速範圍，解決了攝像機測速系統測速慢的問題。此外，它還具有測試方便、兼容、技術準確等優點。也可以做成菜刀。成為壹個光、機、電的MEMS系統。
鐵電-矽微集成系統
李誌堅、任、劉
半導體學報，20(3)，1999
鐵電-矽微集成系統FSMIS是鐵電材料與矽技術相結合的產物，在MEMS、存儲器等方面具有極其重要的應用價值。本文介紹了矽基鐵電薄膜的幾種重要制備方法和幾種典型的應用方向，並對其發展前景進行了展望。
鐵電-矽集成麥克風和揚聲器的研究
任、劉、李誌堅
清華大學學報，39(S1)，1999。
目的是為實現高靈敏度的壹體化麥克風和揚聲器打下基礎。基於鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電體優異的力電耦合特性，將PZT鐵電薄膜與矽技術相結合，研制了懸臂式鐵電-矽集成麥克風和揚聲器。利用雙振膜模型對PZT振膜結構進行了優化，並初步設計了其工藝流程，為最終實現壹體化麥克風和揚聲器奠定了設計基礎。鐵電-矽集成麥克風和揚聲器有望用於多媒體語音輸入和移動通信。
21世紀的信息存儲技術--矽基鐵電存儲器。
任、、劉、李誌堅
電子科技導報，9，1999
矽基鐵電存儲器是通過矽加工技術將鐵電材料集成在半導體集成電路中，以利用這種材料在信息存儲方面的優勢的壹種新型存儲器。這種新興的存儲器是鐵電-矽微集成系統FSMIS的重要應用，有望在低工作電壓、低功耗、高存儲密度和優異的非易失性存儲性能等諸多方面超越簡單的半導體存儲器，有可能成為21世紀重要的信息存儲技術。
矽基PZT麥克風和揚聲器的振膜設計
任，趙陽，劉，李誌堅。
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
本文旨在為實現高靈敏度、集成化麥克風和揚聲器的核心結構——PZT懸臂振膜奠定基礎。基於鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電體優異的力電耦合特性，將PZT鐵電薄膜與矽技術相結合，研制了懸臂式鐵電-矽集成麥克風和揚聲器。采用多振膜模型對PZT振膜結構進行優化設計，為最終實現壹體化麥克風和揚聲器的核心結構奠定了設計基礎。
p型ZnSe中的缺陷復合補償
任，朱家林，朱天柱，姚
應用物理學雜誌，86(3)，1999
用離散變量局域密度泛函方法和團簇模型研究了摻氮和摻砷ZnSe中的缺陷復合物。基於兩種配合物形成能的差異，發現NSe-Zn-VSe在摻N的ZnSe中是更有效的受主補償器，而AsSe-Znint在摻As的ZnSe中更有效。測定了受體能級為65438±070 meV的NSe-Zn-NSe和供體能級為88 meV的NSe-NZn復合物。證實了n分子施主態的概念。
HIP紅外探測器與矽MOS讀出電路的單片集成
王和陳
清華大學學報，39(S1)，1999。
為了證明P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP紅外探測器與矽MOS讀出電路單片集成的可能性，分析了P+-Gex/Si 1-x/P-Si HIP shore紅外探測器與矽CMOS讀出電路的工藝兼容性，提出了可行的方案。采用矽3 mm NMOS工藝成功研制出P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP紅外探測器和NMOS讀出開關電路單片集成測試芯片。在77K下，采用分子束外延(MBE)方法生長的無介質腔和減反射膜的P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP器件的黑體探測率達到11 mm Hz 1/2。W-1。
Cr-AlN界面的二次離子質譜研究
嶽瑞峰
分析測試雜誌，18(3)，1999。
用電子束蒸發法在200℃拋光的AlN陶瓷基片上沈積了200 nm厚的Cr薄膜，並在高真空下退火。利用MCs+-SIMS技術(在Cs+壹次離子轟擊下檢測MCs+型二次離子)對樣品進行了深入分析，給出了界面組分分布與退火溫度和時間的關系。結果表明，MCs+-SIMS技術是研究金屬陶瓷界面擴散和反應的有效方法。
AlN陶瓷基片在空氣中熱氧化行為的探討
王艷嶽瑞峰
應用表面科學，(148)，1999
用二次離子質譜(SIMS)和X射線衍射(XRD)研究了AlN陶瓷基片在850-1100℃空氣中退火後的初始氧化行為。結果表明，未退火的AlN陶瓷基片表面有壹層薄的富氧層。在10min的退火條件下，隨著退火溫度的升高，富氧層迅速增厚。在1100℃退火20min後，在AlN陶瓷襯底表面形成了連續的氧化層。最後，結合化學熱力學，探討了AlN陶瓷襯底表面的初始氧化機理。
氮化鋁和莫來石陶瓷基片的SIMS和XRD研究
嶽瑞峰
矽酸鹽通報，(4)，1999
用二次離子質譜(SIMS)和X射線衍射(XRD)研究了電子封裝用Dy2O3和CaO為添加劑的AlN基板和堇青石和BaCO3為添加劑的莫來石陶瓷基板的相組成和表面組成，特別是表面雜質，並用SIMS討論了AlN表面的熱氧化。結果表明，AlN和莫來石陶瓷表面受到鋰、碳、氟、鈉、鉀、氯、鈦和銣等雜質元素不同程度的汙染。AlN表面有壹層富氧層，在空氣中850oC10分鐘退火後明顯增寬。
Ti/AlN界面反應的SIMS、RBS和XRD研究
王艷嶽瑞峰
表面和界面分析，27(2)，1999
用電子束蒸發法在拋光的200℃AlN陶瓷基片上沈積了200nm厚的Ti膜，並在高真空下退火。利用二次離子質譜(SIMS)、盧瑟福背散射譜(RBS)和X射線衍射分析(XRD)研究了Ti和AlN在200 ~ 850℃範圍內的固相界面反應，給出了界面組分分布與退火溫度和時間的關系。在界面區發現了三元鋁化物，觀察了鋁化物的生成和發展過程。指出鋁化物由鈦鋁二元化合物和鈦鋁氮三元化合物組成。最後，用熱力學理論解釋了實驗結果。
壹種新型雙橋結構集成壓力傳感器的研究與設計
嶽瑞峰、劉、李誌堅
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
在有限元分析矽杯結構應力分布的基礎上，設計了兩種新型雙橋結構的集成壓力傳感器。其中，壓阻橋位於膜片上的高應力區域，補償橋位於膜片對角線上或膜片附近逐漸增厚的體矽區域，構成每個橋的四個電阻集中在同壹區域。將壓阻橋和補償橋的輸出信號相減，可以明顯減小壓力傳感器的失調和溫度漂移。壓力傳感器還配有片內信號處理電路，采用PMOS工藝實現了集成制造。
模糊神經網絡及其VLSI實現的研究
陳、金東明、李誌堅
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
為了克服模糊邏輯和神經網絡的缺點，模糊神經網絡已經成為研究的熱點領域之壹。本文回顧了模糊神經網絡的提出和發展，討論了模型研究的兩種主要方法和成果:壹種稱為基於神經網絡的模糊邏輯系統，另壹種稱為模糊神經網絡。模糊神經網絡的VLSI實現是壹個相對較新的課題。本文首先介紹了模糊邏輯和神經網絡的VLSI實現，然後討論了模糊神經網絡VLSI實現的研究成果和發展。
壹種實用模糊控制器的研制
王春、金東明
清華大學學報，39(S1)，1999。
針對懸浮金屬球在磁場中的控制問題，設計了壹種雙輸入單輸出九規則模糊控制器。該控制器采用了壹種新的模糊和去模糊方法，克服了通常模糊方法中對精確量分級所帶來的信息損失。仿真結果表明，該方法具有過渡時間短、超調量小、穩定性好的特點。設計了CMOS電流模式電路，采用了改進的CMOS工藝。結果表明，該電路很好地滿足了設計要求。整個電路有近300個MOS晶體管，面積1.1 mm2，功耗10.7mw..
可編程模糊邏輯控制器芯片的設計
申傑、金東明、李誌堅
電子學報，27(8)，1999
本文提出了壹種用模擬電路實現的通用可編程模糊邏輯控制器(PFLC)。對於具有兩個輸入變量和壹個輸出變量的控制對象，允許81個控制規則。控制器由電流模式CMOS多值器件組成，采用2mm標準CMOS工藝制造。PFLC具有便捷的輸入/輸出接口，其模糊推理過程是並行的，每個時鐘周期完成壹次，最高時鐘頻率可達1MHz。
雙MOS晶體管的等效電阻*
申傑、金東明、李誌堅
清華大學學報，39(S1)，1999。
可以用兩個源端接地、漏端連在壹起的MOS晶體管構成壹個等效電阻，使它們分別工作在飽和區和非飽和區，即電阻的功能是用有源器件實現的。仿真和測試結果表明，工作電壓在1 ~ 4 V範圍內，電阻變化在5%以內，實際上雙MOS管的電阻是對單MOS管區電阻的補充和提高。結構簡單，阻值範圍從1 kW到幾十kW，調節方便。它采用標準CMOS工藝制造。
Si1-xGex材料和雙極器件的研究進展
賈洪勇、孫自民、陳、
半導體信息，36(3)，1999
Si1-xGex材料具有許多優異的性能，高質量的應變外延層可以將能帶工程的概念引入到IV族器件中。外延Si1-xGex基區的異質結雙極晶體管(HBT)獲得了優異的性能，並具有與矽工藝兼容的優點。Si1-xGex與Si集成的BiCMOS技術取得了很大進展，已經達到了工業應用的水平。Si1-xGex工藝的發展和電路速度的提高也促進了微波集成電路的進步，提高了Si MMIC的應用頻段。從目前的發展現狀來看，已經到了廣泛應用於射頻(RF)通信的階段。
Si1-xGex HBT技術:射頻和微波領域的新來者
賈洪勇、陳、錢培新
集成電路設計，(8)，1999
本文綜述了近年來Si1-xGex材料和器件的發展，並介紹了它在微波電路中的應用。外延Si1-xGex基區異質結雙極晶體管(HBT)以其優異的性能和與矽工藝的兼容性，推動了微波集成電路的進步，提高了Si MMIC的應用頻帶。從目前的發展現狀來看，已經到了廣泛應用於射頻(RF)通信的階段。
SiGe/Si超高真空化學氣相外延工藝研究
金曉軍、賈洪勇、、錢偉、韓勇、、林、陳、錢培新。
清華大學學報，39(S1)，1999。
為了研制高性能的Si1-xGex/Si異質結器件，生長適合器件應用的應變Si1-xGex材料，利用自行研制的超高真空化學氣相沈積(UHV/CVD)設備，對Si1-xGex/Si異質外延生長工藝進行了研究。研究了Si1-xGex的生長速率和組分隨GeH4流量的變化。實驗結果表明，Si1-xGex的生長速率隨著GeH4流量的增加而明顯增加，外延層中Ge組分約為氣相中GeH4濃度的2.5倍。提出了壹個簡單的生長動力學模型來解釋組成與流量的關系。拉曼光譜分析結果表明外延層完全應變。用這種材料制成的二極管性能良好。
壹種新型矽微加速度傳感器的設計與制作
李、劉、楊景明
清華大學學報，39(S1)，1999。
本文研究了壹種新型諧振式矽微加速度傳感器，設計了其結構和工藝，並制作了壹系列不同結構和尺寸的器件。加速度傳感器與支撐梁同時制作檢測信號的諧振梁，采用電阻熱驅動和壓阻橋同步檢測的方法獲得信號輸出。該設計方案采用壓阻傳感技術和體矽微加工技術，具有諧振原理帶來的高分辨率、高穩定性和易於與信號處理電路結合的優點，以低成本獲得高器件性能。其結構尺寸從3毫米×4毫米到6毫米× 6毫米不等..
量子化效應對深亞微米MOSFET亞閾值特性的影響
、劉、李誌堅
清華大學學報，39(S1)，1999。
本文通過求解三角勢壘近似下的薛定諤方程，應用費米統計，建立了MOSFET亞閾值區的經典和量子力學載流子分布模型，從器件開啟的本質出發，提出了適合量子力學理論的開啟電壓定義，進而計算了經典理論和量子力學理論下的載流子分布和亞閾值區電流，首次系統研究了量子化效應對深亞微米MOSFET亞閾值區特性的影響。計算結果表明，在高襯底摻雜濃度下，量子化效應導致載流子濃度和亞閾值電流顯著降低，開啟電壓增加，但對亞閾值斜率因子沒有明顯影響。本文的工作表明，在深亞微米MOSFET器件亞閾值特性的建模和器件設計中，必須考慮量子化效應的影響。
多子帶結構MOS器件開啟電壓量子力學效應的修正模型
、劉、李誌堅
半導體學報，20(3)，1999
隨著襯底濃度的增加和柵氧化層厚度的減小，量子力學效應對深亞微米MOSFET特性的影響越來越明顯。實驗結果表明，量子力學效應會導致開啟電壓的明顯漂移。本文通過比較拋物勢壘下薛定諤方程的數值解和三角勢壘下的解析解，驗證了MOS結構弱反型區量子力學效應的三角勢壘近似的正確性。通過對弱反型區量子化層子帶結構的計算，提出了量子化有效態密度和經典有效態密度的概念，分析了子帶中載流子的分布，討論了量子力學效應影響開啟電壓的兩個因素。在此基礎上，給出了開啟電壓的量子力學修正模型。該模型準確地揭示了量子力學效應影響開啟電壓的物理本質，給出了與實驗數據壹致的結果。
關於MOSFET反型層遷移率全局壹致性的討論
、劉、李誌堅
IEEE Trans。編輯，146(9)，1999
在現有的關於MOSFET反型層載流子遷移率全局均勻特性的研究[1-4]中，關於非均勻溝道摻雜情況的結論明顯不壹致。通過仔細研究文獻[1]中的數據和文獻[2]中的參數提取方法，我們發現這種不壹致只是因為文獻[1]中對耗盡層電荷的定義與其他文獻不同。同時，我們發現文獻[2]中從實驗數據中提取參數的方法並不適用。本文的研究表明，在不摻雜溝道的情況下，電流的遷移率具有與均勻摻雜溝道相同的規律。
表面有效態密度及其在MOS結構建模中的應用
、劉、李誌堅
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
基於MOS結構反型層中載流子的分布特點，提出了表面有效密度(SLED OS)的概念。基於表面有效態密度的概念，建立了經典理論框架和量子力學框架下的電荷分布模型。該模型引入了壹種高效的叠代方法，計算效率高，穩定性強。基於該模型，研究了量子化效應對反型層載流子濃度和表面勢的影響。此外，利用SLEDOS的概念，建立了開啟電壓量子化效應的修正模型。
不同溫度下量子化效應對MOS結構反型層載流子濃度的影響
、劉、李誌堅
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
低溫MOS器件因其固有的高遷移率和優越的亞閾值特性而備受人們關註。量子化效應會對MOSFET反型層的載流子濃度和導通電壓產生顯著影響。本文首次系統地研究了不同溫度下量子化效應對MOS結構反型層載流子濃度的影響。在較寬的溫度範圍(77K~400K)和較大的襯底摻雜濃度範圍(1016cm-3 ~ 1018cm-3)內，計算了經典理論分布和量子理論分布情況下反型層載流子濃度與柵電壓的關系。計算結果表明，隨著溫度的降低，量子化效應對載流子濃度的影響會明顯增大。計算中發現，計入量子化效應後，MOS器件在低溫下仍能保持優良的亞閾值特性。在弱反型區，量子化效應對載流子濃度的影響更大。
現代MOSFET器件開啟電壓的比較研究
、劉、李誌堅
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
非均勻摻雜器件由於其良好的短溝道效應，已經成為MOSFET器件結構設計中必不可少的結構之壹。溝道雜質分布對開啟電壓的影響非常重要。本文針對襯底摻雜不均勻的MOSFET器件，提出了表面強反型開啟電壓和恒定載流子濃度開啟電壓的概念，並在數值解的基礎上驗證了這兩個定義的等價性。然後，系統地比較和研究了襯底雜質均勻分布、階梯分布和高斯分布三種典型溝道摻雜器件的開啟電壓。該計算結構驗證了階梯雜質分布結構降低開啟電壓的作用，以及非均勻摻雜結構與均勻摻雜結構相比降低開啟電壓的特性。計算結果表明，對於階梯結構，當低摻雜區的寬度小於耗盡層的厚度時，耗盡層的厚度基本上與低摻雜區的寬度無關。同時，給出了壹個適用於階梯雜質分布的MOS器件開啟電壓的解析模型。
集成微流量控制系統的研究
龐、劉、李誌堅
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
將微流量控制器件與微流量傳感器及相關信號處理和控制電路相結合的微型化、集成化的微流量控制系統已成為MEMS研究的熱點之壹。介紹了集成微流量控制系統的結構、工作原理和制作工藝。測試結果表明，該系統制作工藝簡單，與標準MOS工藝完全兼容，為微流量控制系統的實際應用奠定了基礎。
微流量泵的微流量控制特性研究
龐、劉、李誌堅
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
微流量泵是壹種典型的微致動器，在醫學、化學、生物工程和電子工程領域有著廣泛的應用前景。不同的應用對微流量泵的流量控制有不同的要求，其中在化學分析系統的應用中要求微流量泵實現穩定可控的微流量。因此，有必要對微流量泵的流量控制特性進行深入研究。目前已開發出多種驅動方式下工作的微流量泵[1-7]，其中鋁矽雙金屬驅動方式因其制造工藝簡單，易於與電路集成而得到深入研究[8]。本文對鋁矽雙金屬驅動的微流量泵的流量控制特性，特別是微流量控制特性進行了研究。分析和試驗結果表明，在各種控制因素中，頻率是最佳的微流量控制方法。
諧振式微加速度計的設計與制作
李、劉、楊景明
第六屆全國敏感元件和傳感器會議，1999.438+00，北京。
報道了壹種新型體矽結構諧振式微加速度傳感器的設計和制作。該裝置采用電流熱激勵和壓阻電橋同步檢測的方法獲得信號輸出。其敏感結構采用高度對稱的四角支撐形式，在質量塊的四邊與支撐框架之間制作四個諧振梁，用於信號檢測。加速度傳感器采用三層矽結構，全部采用矽微機械加工技術制造。對芯片樣品進行了封裝和測試，給出了諧振器的性能測試結果。
壹種新型壓阻式加速度傳感器
李、劉、楊景明
第十壹屆全國集成電路和矽材料會議錄，1999.9，大連。
本文對壓阻式加速度傳感器的不同結構進行了分析和比較。得到了加速度場中敏感結構的應力集中分布，並給出了優化設計準則。在此基礎上，設計了壓敏橋，並提出了高性能四面包圍支撐的新結構。對研制成功的加速度傳感器進行封裝測試，表明其性能良好。
矽集成微泵系統的優化設計及兼容工藝研究
龐、劉、李誌堅
清華大學學報，39(S1)，1999。
介紹了壹種新型矽集成微泵系統的工作原理、結構優化、電路設計、制造工藝和初步實驗結果。該系統為三片式結構，其中兩片采用體矽微機械加工技術成型，另壹片為壹體化鋁矽雙金屬驅動結構。優化了驅動結構的結構參數，提高了工作效率。根據鋁矽雙金屬驅動結構的制造工藝特點，將微流量傳感器和信號處理電路集成在驅動結構上，實現了系統集成。集成系統的制造工藝簡單，采用的微加工工藝與標準MOS工藝完全兼容。集成微泵的外形尺寸為6mm×6mm×1mm，最大輸出背壓為10 kPa，最大流量可達44mL/min。