作者:王，BZ？(王寶珠)【？1,2,4?]?；？張，？(張秀卿)[？1?]?；？張，公元？(張傲迪)【？1?]?；？周，XR？(周曉然)【？1?]?；？Kucukgok，B(巴哈迪爾Kucukgok)[？2?]?；？那，我？(路娜)[？3?]?；？小，HL？(蕭紅玲)【？4?]?；？王，XL？(王曉亮)[？4?]?；？弗格森，它？伊恩·弗格森？2?]
ACTA物理
音量:？64
句號:？四
投稿號:？047202
DOI:？10.7498
出版年份:？2月20日2015
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摘要
用金屬有機化學氣相沈積法生長不同摻雜濃度的GaN薄膜。用霍爾和塞貝克系統在室溫下測量了GaN薄膜的載流子濃度、遷移率和塞貝克系數。通過實驗和理論數據計算了功率因數和熱電品質因數。GaN薄膜的遷移率和塞貝克系數隨著載流子濃度的增加而降低。GaN薄膜的電導率隨著載流子濃度的增加而增加。Ga N薄膜的塞貝克系數從100變化到500μV/K，取決於載流子濃度。載流子濃度為1.60 x 10(18)cm(-3)時，最高功率因數為4.72 x 10(-4) W/mK(2)。由於聲子散射的增加，GaN薄膜的熱導率隨著載流子濃度的增加而降低。當載流子濃度為1.60×10(18)cm(-3)時，GaN薄膜在室溫下的最大熱電優值為0.0025。
關鍵字
作者關鍵詞:GaN薄膜；？熱電特性
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通訊員地址:？王，BZ(通訊員)
河北科技大學；科技信息學校。中華人民共和國石家莊050018工程師。
地址:
河北大學科技學院；科技信息學校。中華人民共和國石家莊050018工程師
[ 2 ]北卡羅來納大學電子系。美國北卡羅來納州夏洛特市工程公司，郵編28223
[ 3 ]北卡羅來納大學工程技術部，美國北卡羅來納州夏洛特，郵編28223
[ 4 ]中國科學院半導體研究所，中國北京100083
:wangbz@semi.ac.cn電子郵件地址
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授權號
國家自然科學基金？
61076052?
河北省自然科學基金？
F2013208171？
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出版者
中國體育足球，中國北京100080郵政信箱603號
類別/分類
研究方向:物理學
科學網類別:物理學，多學科
文獻信息
文學類型:文章
語言:中文
藏文詞條編號:？WOS:000351281500046
ISSN:？1000-3290
期刊信息
影響因子:？期刊引用報告？
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身份證號碼:？CD7PA
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