1．用慢正電子技術研究半導體表面界面缺陷 湖北省自然科學基金 2.0萬元 主持 順利結題 2．用正電子湮沒研究重摻雜半導體載流子飽和的微觀機制 武漢大學自強基金 3.0萬元 主持 順利結題 3．寬禁帶半導體ZnO電子輻照引入缺陷及其回復研究 湖北省傑出青年基金 10萬元 主持 順利結題 4．半導體缺陷的正電子譜學研究 教育部青年骨幹教師基金 12萬元 主持 順利結題 5．沸石中半導體納米團簇材料的正電子研究 國家自然科學基金 20萬元 主持 順利結題 6．ZnO中離子註入摻雜引入缺陷及其對電學和磁學性能的影響 國家自然科學基金 45萬元 主持 順利結題 7．材料缺陷結構三維分布的正電子顯像 973預研 38萬元 主持 順利結題 8．ZnO中缺陷的形成機制及其對材料光學電學性能影響的研究 教育部新世紀優秀人才支持計劃 50萬元 主持 順利結題 9．用正電子湮沒二維多普勒展寬譜研究鋁合金時效過程中納米析出物的微結構 國家自然科學基金 50萬元 主持 順利結題 10．用正電子湮沒譜學研究熱電材料的缺陷及其對熱電性能的影響 國家自然科學基金 90萬元 主持 正在進行 11．多孔催化劑孔結構及表面活性物質分散狀態的正電子湮沒研究 國家自然科學基金 96萬元 主持 正在進行