參與研制國內首臺能同時生長3C-SiC和厚膜GaN材料的高溫CVD/HVPE復合澱積系統。在其基礎上完成了自然科學基金項目“藍色發光二極管用SiC 材料生長的基礎研究”。承擔中國科學院應用研究與發展重點項目“GaN/SiC/Si 異質外延材料的生長與研究”以及863 項目“高亮度藍光、綠光LED 的產品開發和規模化生產關鍵技術的研究”中“氮化物立方GaN 藍、綠光發光器件研制與產品開發”子課題，並順利完成。參與和承擔“氮化鎵激光器”、“氮化鎵紫外探測器”“GaN/Si基材料生長與研究”等多項863 項目的研究，主要從事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生長與分析。把質量管理中常用的試驗設計方法引入到GaN基材料與器件結構的外延生長，成功制備了GaN 基激光器結構外延片；在此基礎上中科院半導體所實現了中國大陸第壹只GaN基脈沖激射和室溫連續工作激光器的成功研制。承擔863項目“高效大功率半導體燈用近紫外LED生產技術研究”，順利完成。承擔自然科學基金項目“AlInN 材料的MOCVD 生長與應用研究”（批準號 60576003，2006,1-2008,12），順利完成，最終評定結果為優承擔中科院重大科研裝備研制項目“III族氮化物生長用原子層化學氣相澱積系統”，設計並研制成功了兼具原子層外延和MOCVD外延優點的外延生長系統，尤其適合於生長高Al組份的三族氮化物，順利通過中科院專家組的驗收。參與創建蘇州納維科技有限公司，主要負責HVPE設備的設計、研制以及HVPE生長工藝的開發。主持設計了水平和垂直兩種HVPE生長設備，成功用於GaN自支撐襯底的生長。