碳化矽(SiC)是壹種寬帶隙半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移率、高化學穩定性和抗輻射能力，晶格常數和熱膨脹系數與氮化鎵(GaN)相近。它不僅是制造高亮度發光二極管(HB-LEDs)的理想襯底材料，也是制造高溫、高頻、大功率、抗輻射電子器件的理想材料。
碳化矽晶片的主要應用領域是LED固態照明和高頻器件。這種材料具有帶隙、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優異特性，比傳統矽高出數倍。在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應用領域和航空航天、軍工、核能等極端環境應用領域具有不可替代的優勢。